概述
X3G65045ATL是一款700V功率GaN HEMT，封裝形式為TOLT。基于p-GaN增強(qiáng)模式(E-模式)的GaN-on-silicon技術(shù)，它是一款通常處于關(guān)閉狀態(tài)的獨(dú)立器件。該器件可以在非常高的頻率下進(jìn)行軟開關(guān)和硬開關(guān)操作，同時仍能實現(xiàn)高效率。此外，還采用了先進(jìn)的封裝方法，以獲取低熱阻和高器件性能。
參數(shù)
VDS [V]
700
IDS[A]@25℃
36
VGS-max[V]
-15 to 7
VGS(th)[V]@25℃
16
RDS(on)[mΩ]@VGS=6V
43
Qg[nC]
7.7
Qr[nC]
0
封裝形式
TOLT
可靠性
工規(guī)
狀態(tài)
產(chǎn)品在售
特點(diǎn)
-
????無反向恢復(fù)GaN HEMT單極導(dǎo)通無反向恢復(fù)過程 -
????高頻特性GaN HEMT 二維電子氣溝道高頻高速輸運(yùn)模式 -
????低損耗設(shè)計極低的柵電容和快速的二維電子氣輸運(yùn)特性
應(yīng)用范圍
本品適用于PD快充、服務(wù)器電源及工業(yè)驅(qū)動。其高頻特性提升效率與功率密度，TOLT封裝優(yōu)化散熱與成本，實現(xiàn)高性能與高性價比的平衡。
開關(guān)電源
PC和服務(wù)器電源供應(yīng)器
適配器、快速充電器
5G電源供應(yīng)器
