概述
芯干線碳化硅MOSFET采用業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的碳化硅工藝，實(shí)現(xiàn)了更高的溝道遷移率和更低的導(dǎo)通電阻，兼具卓越的開關(guān)性能與超越車規(guī)級(jí)的可靠性。
其核心性能優(yōu)勢(shì)包括：支持高頻開關(guān)，顯著減小無(wú)源器件體積；更高工作結(jié)溫，提升功率密度；極低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，助力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)超高能效。
該產(chǎn)品系列覆蓋廣泛電壓范圍，是新能源汽車電驅(qū)、OBC、光伏逆變器、工業(yè)電源及數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等高壓、高效率應(yīng)用的理想選擇。
參數(shù)
VDS [V]
1700
IDS[A] @25°C
5
VGS-max [V]
-10/+25
VGS(th)[V] @25°C
2.6
RDS(on)[mΩ] @VGS=18V
1.0@(20V)
Qg[nC]
23
封裝形式
TO-247-3
可靠性
工規(guī)
狀態(tài)
產(chǎn)品在售
特點(diǎn)
-
????高阻斷電壓SiC 材料擊穿場(chǎng)強(qiáng)高，器件耐壓等級(jí)可達(dá)數(shù)千上萬(wàn)伏 -
????低導(dǎo)通電阻導(dǎo)通電阻小，發(fā)熱少，能效提升顯著，減少散熱需求 -
????高速切換與低電容開關(guān)速度快，寄生電容小，開關(guān)損耗低，適合高頻應(yīng)用 -
????易于并行和簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)管并聯(lián)方便，驅(qū)動(dòng)方式簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)靈活，可靠性高 -
????耐高溫更高工作結(jié)溫，提升功率密度，結(jié)溫高達(dá)175℃以上，
應(yīng)用范圍
碳化硅MOSFET適用于新能源汽車電驅(qū)、OBC、光伏逆變器、工業(yè)電源及數(shù)據(jù)中心服務(wù)器。憑借高頻、高效、耐高溫特性，可顯著提升系統(tǒng)能效、降低損耗與體積，并增強(qiáng)可靠性。
電動(dòng)工具
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消費(fèi)電子
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