XS004HB120N6
產(chǎn)品在售
1200V/4mΩ SIC MOSFET半橋模塊，采用Easy3B封裝，適用于高溫高頻等嚴(yán)苛工況的控制系統(tǒng)和新能源相關(guān)領(lǐng)域。
概述
芯干線1200V/4mΩ SIC MOSFET半橋模塊，采用Easy3B封裝，全對(duì)稱電路設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)極低的回路雜散電感和開(kāi)關(guān)損耗，可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的高頻高效運(yùn)行。其高功率密度和優(yōu)異的散熱性能，可顯著提升光伏逆變器、工業(yè)電源等系統(tǒng)的效率與功率密度，同時(shí)可減小體積與降低成本。
參數(shù)
VDS[V]
1200
R[mΩ]/I[A]
4
電路拓?fù)?/div>
半橋
封裝形式
N6
狀態(tài)
產(chǎn)品在售
特點(diǎn)
-
????低雜散電感采用全對(duì)稱電氣回路設(shè)計(jì)，將模塊雜散電感降至最低 -
????低開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)速度快，發(fā)熱量少，能效提升顯著，減少散熱需求 -
????高頻應(yīng)用寄生電容小可實(shí)現(xiàn)高速切換，開(kāi)關(guān)損耗低，適合高頻應(yīng)用 -
????高溫穩(wěn)定性更高工作結(jié)溫，提升功率密度，結(jié)溫高達(dá)175℃以上
應(yīng)用范圍
1200V/4mΩ SIC MOSFET半橋模塊，采用Easy3B封裝，全對(duì)稱電氣回路和Kelvin連接，為光伏逆變器、儲(chǔ)能及工業(yè)驅(qū)動(dòng)提供高效率與高功率密度解決方案，同時(shí)可降低系統(tǒng)周邊成本，實(shí)現(xiàn)更高性價(jià)比。
高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用
光伏儲(chǔ)能逆變器
不間斷電源系統(tǒng)
