簡(jiǎn)化的氮化鎵功率器件封裝步驟

有了氮化鎵芯片的晶圓工藝，我們現(xiàn)在來(lái)簡(jiǎn)單講一下氮化鎵封裝。氮化鎵功率器件的封裝和硅功率器件很類似。在封裝之前，都要經(jīng)過(guò)CP也就是晶圓級(jí)測(cè)試。測(cè)試通過(guò)的芯片才會(huì)繼續(xù)封裝。首先我們要做的是晶圓的背部減薄。一般氮化鎵功率器件的封裝形式以DFN為主，這要求封裝的時(shí)候晶圓厚度足夠薄。減薄后劃片的步驟和硅有所不同。因?yàn)榈壥且环N相對(duì)比較硬的材料，需要使用激光刀先做凹槽蝕刻，再用鉆石刀劃片。劃片后，可以把一顆顆的芯片從晶圓上取出，并放在放在需要封裝的金屬框架上。芯片上裸露的電極打線盤和框架上的打線盤通過(guò)金線、銅線或者鋁線打線連接后可以使用環(huán)氧樹脂做塑封。在正式出貨前，封裝好的芯片還要通過(guò)FT測(cè)試，也就是終測(cè)才能交給終端客戶