半橋架構氮化鎵功率器件對驅動器的CMTI的要求

半橋結構的氮化鎵功率器件廣泛用于例如LLC等拓撲結構中。因為氮化鎵功率器件的有較高的dv/dt變化率，對板橋模塊的驅動IC往往會有更高的要求。CMTI（common mode transient immunity）是用于衡量驅動器對于瞬態(tài)噪音的抑制能力的參數，它和驅動器自身的寄生電容有關。希望該寄生電容越小越好。一般而言使用數字隔離技術的驅動IC好過使用level-shift技術的驅動器。

如圖所示，當中心點SW有一個較高的正向或者負向dv/dt時候，共模電流會流過上管驅動器的寄生電容兩端。這可能會造成控制器的邏輯狀態(tài)錯誤，導致誤觸發(fā)。