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在數(shù)據(jù)流量呈指數(shù)級增長以及 5G 技術(shù)深度普及的當(dāng)下，POE（以太網(wǎng)供電）交換機(jī)作為融合了數(shù)據(jù)傳輸與電力供應(yīng)功能的關(guān)鍵設(shè)備，廣泛應(yīng)用于企業(yè)網(wǎng)絡(luò)、5G 基站邊緣站點(diǎn)等場景，正面臨著巨大的性能挑戰(zhàn)。 傳統(tǒng)硅基器件在效率、散熱和體積方面的固有缺陷，嚴(yán)重制約了 POE 交換機(jī)的進(jìn)一步發(fā)展。而 GaN HE

無論是大型商業(yè)建筑的中央空調(diào)系統(tǒng)還是熱泵型的家用空調(diào)，熱泵風(fēng)機(jī)都起著關(guān)鍵作用。它可以快速調(diào)節(jié)室內(nèi)溫度，為用戶提供舒適的室內(nèi)環(huán)境。 芯干線科技推出的三相 5KW 圖騰柱無橋 PFC 電源方案，以其高速的數(shù)據(jù)運(yùn)算能力，讓轉(zhuǎn)換速度可達(dá) 6M以上。當(dāng)將其應(yīng)用于熱泵風(fēng)機(jī)時(shí)，借助高效的風(fēng)機(jī)運(yùn)行機(jī)制，可

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場青睞，認(rèn)可度極高。 這款電源的 PCBA 采用裸板（Open Frame）結(jié)構(gòu)，輸入輸出設(shè)計(jì)為 3.96PIN 端子，便于插入連接線。機(jī)身呈長條直板造型，設(shè)計(jì)風(fēng)格簡約大氣。該適配器支持 12V8.33A、100W 輸出

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動汽車市場的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件--碳化硅(SiC)成為了行業(yè)新寵。這一趨勢不僅在汽車產(chǎn)業(yè)得到了證實(shí)，SiC MOSFET更是開始在光伏逆變器和工業(yè)電源等多個領(lǐng)域大放異彩。 光伏逆變器是光伏電站的轉(zhuǎn)換設(shè)備，主要將太陽

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是三種不同的功率半導(dǎo)體器件，各自在不同的應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。 如果想要說明白這三種功率器件的應(yīng)用區(qū)別，首先要做的是搞清楚這三種功率器

一、瑞薩全數(shù)字電源控制MCU簡介 瑞薩RA-T系列MCU是為電機(jī)和數(shù)字電源應(yīng)用而優(yōu)化的規(guī)格和產(chǎn)品系列，產(chǎn)品具有最佳結(jié)構(gòu) (ARM Cortex-M內(nèi)核, PWM定時(shí)器, A/D轉(zhuǎn)換器,比較器)，豐富的通信功能，利于系統(tǒng)控制拓展，有助于實(shí)時(shí)應(yīng)用的高速內(nèi)存和外圍功能保持高度兼容性。產(chǎn)品的電機(jī)控制加速器

一、什么是GaN功率器件 第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展，第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）和銻化銦（InSb）為核心，這些材料的高頻和高速特性，為電子器件的性能提升提供了強(qiáng)大動力。而現(xiàn)今，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）

不同的封裝會有不同的結(jié)-殼熱阻。但封裝形式的影響遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于芯片自身的尺寸對結(jié)-殼熱阻的影響。我們使用英飛凌的數(shù)據(jù)做了一個全面的比較，可見對于硅器件而言，無論是直插封裝（例如TO220）還是表面貼封裝(DFN)，差不多的Rdson帶來很接近的結(jié)-殼熱阻。然而同樣類似的Rdson，氮化鎵的結(jié)-殼熱阻卻要大

GaN有很高的擊穿場強(qiáng)（硅的10倍） 就硅器件而言，高電場導(dǎo)致硅PN結(jié)出現(xiàn)雪崩擊穿 GaN HEMT 更像瓷片電容擊穿，因?yàn)樗膿舸c(diǎn)常常位于器件上部的絕緣層中（電場最集中的地方） 與硅不同之處在于，氮化鎵一旦發(fā)生擊穿，就是永久性的 對氮化鎵而言，通常的設(shè)計(jì)余量會有30%以上，而硅器件僅