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硅器件存在零溫度系數(shù)點(diǎn)（Zero Temperature Coefficient，ZTC）。在這個(gè)點(diǎn)的下方為正溫度系數(shù)，漏極電流隨溫度增加而增加，可能造成局部熱點(diǎn)和器件失效。 增強(qiáng)型的氮化鎵則沒有ZTC問題

我們根據(jù)法國(guó)Yole Delvelopment公司2021年的預(yù)測(cè)，做了一個(gè)氮化鎵應(yīng)用分類的大致預(yù)測(cè)。到2025年，氮化鎵功率器件市場(chǎng)大約為70億人民幣（Casa有更樂觀的預(yù)測(cè)）。這其中消費(fèi)類還是占比超過60%。 數(shù)據(jù)來源：Yole Development

預(yù)計(jì)到2025年，氮化鎵在PD的滲透率將超過60%，屆時(shí)全球氮化鎵快充市場(chǎng)規(guī)模將超過80億元人民幣 數(shù)據(jù)及表格來源：2021CASA第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報(bào)告中信證券研究部；中信證券研究部；

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)方案，供設(shè)計(jì)參考：

最左邊是我們常見的增強(qiáng)型，也就是常關(guān)型氮化鎵器件；中間的是耗盡型，也就是常開型氮化鎵器件，最右邊的硅的LDMOS。我們看到這三者有很多相似的地方：首先他們都是橫向器件，源極、漏極、門極都在芯片的上表面。漏源極電流Ids在芯片的上表面橫向流動(dòng)。第二，他們都是在硅襯底上長(zhǎng)外延。不同之處在于硅LDMO

為了讓大家更好的理解氮化鎵功率器件的工藝流程，這里準(zhǔn)備了一個(gè)簡(jiǎn)化的耗盡型氮化鎵功率器件的工藝步驟。第一步也是第一張光罩，是做平臺(tái)型的隔離蝕刻；第二步，第二張光罩定義了源極和漏極；第三步是沉積源極和漏極的金屬；第四步是玻璃和退火，形成源極和漏極金屬；第五步，用第三張光罩來定義門極；第六步是做門極金

有了氮化鎵芯片的晶圓工藝，我們現(xiàn)在來簡(jiǎn)單講一下氮化鎵封裝。氮化鎵功率器件的封裝和硅功率器件很類似。在封裝之前，都要經(jīng)過CP也就是晶圓級(jí)測(cè)試。測(cè)試通過的芯片才會(huì)繼續(xù)封裝。首先我們要做的是晶圓的背部減薄。一般氮化鎵功率器件的封裝形式以DFN為主，這要求封裝的時(shí)候晶圓厚度足夠薄。減薄后劃片的步驟和硅有

沒有雪崩擊穿，更加類似于介質(zhì)擊穿 沒有p-型氮化鎵管，氮化鎵單片模擬/數(shù)字IC的設(shè)計(jì)與硅不同 最大門級(jí)電壓被限制在了7V，且與現(xiàn)有硅驅(qū)動(dòng)IC不兼容，驅(qū)動(dòng)需要特別的IC或設(shè)計(jì) 氮化鎵功率器件特有的動(dòng)態(tài)電阻現(xiàn)象，會(huì)在工作的時(shí)候增加通態(tài)電阻，需要有設(shè)計(jì)裕量 雖然GaN材料特性遠(yuǎn)好過硅，且有高電